Электронные компоненты и электротехника

STPSC2006CW – сборка из двух диодов Шоттки компании STMicroelectronics, рассчитанных на 600 В и производимых по карбид-кремниевой (SiC) технологии. Диоды обладают малым временем восстановления и минимальными выбросами при переходных процессах, причем эти характеристики остаются стабильными во всем диапазоне рабочих температур. Благодаря большой ширине запрещенной зоны, у силового выпрямительного SiC-диода практически отсутствуют обратные токи при комнатной температуре. Высокая плотность мощности – второе преимущество SiC диодов над обычными кремниевыми диодами. Использование SiC-диодов в составе импульсного преобразователя позволяет увеличить его КПД на 0,5…1%, особенно при малых нагрузках и высоких частотах преобразования.

Отличительные особенности:

• количество диодов в корпусе: 2;
• схема включения диодов с общим катодом;
• максимальное обратное напряжение диода: 600 В;
• прямое падение напряжения: 1,4 В;
• средний прямой ток диода: 10 А;
• время обратного восстановления диода: ~0 нс;
• обратный ток диода: ~0 А;
• емкость перехода: 650 пФ;
• рабочая температура: -40…+175 °C;
• корпус: TO-247-3.

Журнальная статья «Идеальные диоды» от компании STMicroelectronics.